Konvergence inovací: Technická synergie mezi MOSFETem CoolSiC™ G2 od společnosti Infineon a tenkovrstvými kondenzátory YMIN

Tenkovrstvé kondenzátory YMIN dokonale doplňují MOSFET G2 od společnosti Infineon CoolSiC™

Infineonův MOSFET G2 nové generace z karbidu křemíku CoolSiC™ je předním inovačním prvkem v oblasti správy napájení. Tenkovrstvé kondenzátory YMIN s nízkým ESR, vysokým jmenovitým napětím, nízkým svodovým proudem, vysokou teplotní stabilitou a vysokou hustotou kapacity poskytují tomuto produktu silnou podporu a pomáhají dosáhnout vysoké účinnosti, vysokého výkonu a vysoké spolehlivosti, což z něj činí nové řešení pro přeměnu energie v elektronických zařízeních.

Tenkovrstvý kondenzátor YMIN s Infineon MOSEFET G2

Vlastnosti a výhody YMINTenkovrstvé kondenzátory

Nízká sedimentace erytrocytů (ESR):
Nízká ESR konstrukce tenkovrstvých kondenzátorů YMIN efektivně zvládá vysokofrekvenční šum v napájecích zdrojích a doplňuje nízké spínací ztráty MOSFETu CoolSiC™ G2.

Vysoké jmenovité napětí a nízký únik:
Charakteristiky vysokého jmenovitého napětí a nízkého svodového proudu tenkovrstvých kondenzátorů YMIN zvyšují stabilitu MOSFETu CoolSiC™ G2 při vysokých teplotách a poskytují robustní podporu pro stabilitu systému v náročných podmínkách.

Stabilita při vysokých teplotách:
Vysoká teplotní stabilita tenkovrstvých kondenzátorů YMIN v kombinaci s vynikajícím tepelným managementem CoolSiC™ MOSFET G2 dále zvyšuje spolehlivost a stabilitu systému.

Vysoká hustota kapacity:
Vysoká hustota kapacity tenkovrstvých kondenzátorů nabízí větší flexibilitu a využití prostoru při návrhu systému.

Závěr

Tenkovrstvé kondenzátory YMIN, jako ideální partner pro MOSFET G2 od společnosti Infineon, vykazují velký potenciál. Kombinace těchto dvou prvků zlepšuje spolehlivost a výkon systému a poskytuje lepší podporu pro elektronická zařízení.

 


Čas zveřejnění: 27. května 2024