Hlavní projev PCIM
Šanghaj, 25. září 2025 – Dnes v 11:40 na technologickém fóru PCIM Asia 2025 v hale N4 Šanghajského nového mezinárodního výstaviště přednesl pan Zhang Qingtao, viceprezident společnosti Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd., hlavní projev s názvem „Inovativní aplikace kondenzátorů v nových polovodičových řešeních třetí generace“.
Projev se zaměřil na nové výzvy, které představují polovodičové technologie třetí generace, jako je karbid křemíku (SiC) a nitrid galia (GaN), pro kondenzátory v extrémních provozních podmínkách, jako je vysoká frekvence, vysoké napětí a vysoká teplota. Projev systematicky představil technologické průlomy kondenzátorů YMIN a praktické příklady dosažení vysoké hustoty kapacity, nízkého ESR, dlouhé životnosti a vysoké spolehlivosti.
Klíčové body
S rychlým zaváděním součástek SiC a GaN v nových energetických vozidlech, fotovoltaických úložištích energie, serverech s umělou inteligencí, průmyslových napájecích zdrojích a dalších oblastech se požadavky na výkon podpůrných kondenzátorů stávají stále přísnějšími. Kondenzátory již nehrají jen podpůrnou roli; nyní jsou kritickým „motorem“, který určuje stabilitu, účinnost a životnost systému. Prostřednictvím inovací materiálů, strukturální optimalizace a modernizace procesů dosáhla společnost YMIN komplexních vylepšení kondenzátorů ve čtyřech rozměrech: objem, kapacita, teplota a spolehlivost. To se stalo klíčovým pro efektivní implementaci polovodičových aplikací třetí generace.
Technické výzvy
1. Řešení napájení serveru s umělou inteligencí · Spolupráce se společností Navitas GaN. Výzvy: Vysokofrekvenční spínání (>100 kHz), vysoké zvlnění proudu (>6 A) a prostředí s vysokou teplotou (>75 °C). Řešení:Řada IDC3Elektrolytické kondenzátory s nízkým ESR, ESR ≤ 95 mΩ a životností 12 000 hodin při 105 °C. Výsledky: 60% snížení celkové velikosti, 1%-2% zlepšení účinnosti a 10°C snížení teploty.
2. Záložní zdroj napájení pro server NVIDIA AI GB300-BBU · Náhrada japonského Musashi. Problémy: Náhlé přepětí napájení GPU, odezva v milisekundách a zkrácení životnosti v prostředí s vysokými teplotami. Řešení:Čtvercové superkondenzátory LIC, vnitřní odpor <1 mΩ, 1 milion cyklů a 10minutové rychlé nabíjení. Výsledky: zmenšení velikosti o 50 %–70 %, snížení hmotnosti o 50 %–60 % a podpora špičkového výkonu 15–21 kW.
3. Napájecí zdroj Infineon GaN MOS480W pro kolejnice – náhrada japonského Rubyconu. Problémy: Široký rozsah provozních teplot od -40 °C do 105 °C, vysokofrekvenční zvlnění proudu. Řešení: Míra degradace při ultranízkých teplotách <10 %, odolnost proti zvlnění proudu 7,8 A. Výsledky: Prošel 100% úspěšností při spouštění při nízké teplotě -40 °C a při cyklech s vysokou a nízkou teplotou, splňuje požadavek železničního průmyslu na životnost 10+ let.
4. Nové energetické vozidloKondenzátory stejnosměrného meziobvodu· Spárováno s regulátorem motoru ON Semiconductor o výkonu 300 kW. Problémy: Spínací frekvence > 20 kHz, dV/dt > 50 V/ns, okolní teplota > 105 °C. Řešení: ESL < 3,5 nH, životnost > 10 000 hodin při 125 °C a o 30 % vyšší kapacita na jednotku objemu. Výsledky: Celková účinnost > 98,5 %, hustota výkonu přesahující 45 kW/l a životnost baterie prodloužená přibližně o 5 %. 5. Řešení nabíjecí stanice GigaDevice 3,5 kW. YMIN nabízí hloubkovou podporu.
Problémy: Spínací frekvence PFC je 70 kHz, spínací frekvence LLC je 94 kHz–300 kHz, zvlnění proudu na vstupní straně překračuje 17 A a nárůst teploty jádra má vážný dopad na životnost.
Řešení: Pro snížení ESR/ESL se používá vícepásmová paralelní struktura. V kombinaci s mikrokontrolérem GD32G553 a součástkami GaNSafe/GeneSiC se dosahuje hustoty výkonu 137 W/in³.
Výsledky: Špičková účinnost systému je 96,2 %, faktor účiníku (PF) je 0,999 a celkové harmonické zkreslení (THD) je 2,7 %, což splňuje požadavky na vysokou spolehlivost a životnost 10–20 let pro nabíjecí stanice pro elektromobily.
Závěr
Pokud vás zajímají špičkové aplikace polovodičů třetí generace a chcete se dozvědět, jak inovace v oblasti kondenzátorů mohou zlepšit výkon systému a nahradit mezinárodní značky, navštivte prosím stánek YMIN, C56 v hale N5, kde se dozvíte podrobnou technickou diskusi!
Čas zveřejnění: 26. září 2025